LEEM-10A eksperimentelt apparat for PN-overgangsegenskaper

Kort beskrivelse:

Introduksjon

De fysiske egenskapene til halvleder-PN-overgangen er et av de viktige grunnleggende innholdene i fysikk og elektronikk. Dette apparatet bruker den fysiske eksperimentmetoden for å måle forholdet mellom diffusjonsstrømmen i PN-overgangen og spenningen, beviser at denne relasjonen følger den eksponensielle fordelingsloven, og måler Boltzmann-konstanten (en av de viktigste konstantene i fysikk) mer presist, noe som gjør det mulig for studentene å lære en ny metode for å måle svak strøm. Dette apparatet har en varmevekslende temperaturtermostat for å måle forholdet mellom PN-overgangens spenning og termodynamisk temperatur T, for å oppnå sensorens følsomhet, og tilnærme seg energigapet til silisiummaterialet ved 0K. Dette apparatet er stabilt og pålitelig, og har rikelig med fysiske eksperimenter, et klart konsept, rimelig strukturell design og måleresultater med høy nøyaktighet. Dette apparatet brukes hovedsakelig i generelle fysiske eksperimenter og designforskningseksperimenter på høyskoler og universiteter.

Send e-post til oss

Produktdetaljer

Produktetiketter

Eksperimenter

1. Forholdet mellom PN-overgangens diffusjonsstrøm og overgangsspenningen måles, og det skal bevises at dette forholdet følger den eksponensielle fordelingsloven gjennom databehandling;

2. Boltzmann-konstanten måles mer nøyaktig (feilen skal være mindre enn 2 %);

3. Lær å bruke en operasjonsforsterker til å danne en strøm-spenningsomformer for å måle den svake strømmen fra 10^-6A til 10^-8A;

4. Forholdet mellom PN-kryssspenning og temperatur måles, og følsomheten til kryssspenningen i forhold til temperaturen beregnes;

5. Beregn en omtrentlig verdi for å beregne energigapet til halvledermaterialet (silisium) ved 0K.

Tekniske indekser

1. Likestrømforsyning

En justerbar 0-1,5V DC strømforsyning;

En justerbar 1mA-3mA DC strømforsyning.

2. LCD-målemodul

LCD-oppløsningsforhold: 128 × 64 piksler

To digitale indikatorer for spenningsområde: 0–4095 mV, oppløsningsforhold: 1 mV

Område: 0–40,95 V, oppløsningsforhold: 0,01 V