LEEM-10A Eksperimentelt apparat av PN Junction Characteristics Utvalgt bilde

LEEM-10A eksperimentelt apparat med PN-kryssegenskaper

Kort beskrivelse:

Introduksjon

De fysiske egenskapene til halvleder PN-krysset er et av de viktige grunnleggende innholdene i fysikk og elektronikk.Dette apparatet bruker den fysiske eksperimentmetoden for å måle forholdet mellom diffusjonsstrømmen til PN-krysset og spenning, beviser at denne relasjonen følger eksponentialfordelingsloven, og måler Boltzmann-konstanten (en av de viktige konstantene i fysikk) mer presist, noe som muliggjør elevene skal lære en ny metode for å måle svakstrøm.Dette apparatet tilveiebringer en termostat for varmevekslertemperatur for å måle forholdet mellom PN-kryssspenning og termodynamisk temperatur T, for å oppnå følsomheten til sensoren, og tilnærmet for å oppnå energigapet til silisiummateriale ved 0K.Dette apparatet er stabilt og pålitelig, og har rikelig med fysisk eksperimentinnhold, klart konsept, rimelig strukturell design og høy nøyaktige måleresultater.Dette apparatet brukes hovedsakelig i generelle fysiske eksperimenter og designforskningseksperimenter på høyskoler og universiteter.

Send e-post til oss

Produkt detalj

Produktetiketter

Eksperimenter

1. Forholdet mellom PN-overgangens diffusjonsstrøm og overgangsspenningen måles, og denne sammenhengen skal bevises å følge den eksponentielle distribusjonsloven gjennom databehandling;

2. Boltzmann-konstanten måles mer nøyaktig (feilen skal være mindre enn 2%);

3. Lær å bruke operasjonsforsterker for å danne en strøm-spenningsomformer for å måle den svake strømmen fra 10^-6A til 10^-8A;

4. Forholdet mellom PN-koblingsspenning og temperatur måles og følsomheten til overgangsspenning med temperatur beregnes;

5. Omtrentlig å beregne energigapet til halvledermaterialet (silisium) ved 0K.

Tekniske indekser

1. DC strømforsyning

En justerbar 0-1,5V DC strømforsyning;

En justerbar 1mA-3mA DC strømforsyning.

2. LCD målemodul

LCD-oppløsningsforhold: 128×64 piksler

To digitale indikatorer for spenningsområde: 0-4095mV, oppløsningsforhold: 1mV

Rekkevidde: 0-40,95V, Oppløsningsforhold: 0,01V